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　　为了创建芯片内部的微型器件★✿ღ★，需要不断地沉积一层层的薄膜并通过刻蚀去除掉其中多余的部分★✿ღ★，另外还要添加一些材料将不同的器件分离开来凯时尊龙appZ6尊龙·凯时★✿ღ★。★✿ღ★。每个晶体管或存储单元就是通过上述过程一步步构建起来的★✿ღ★。这里所说的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm★✿ღ★，百万分之一米）凯时尊龙app★✿ღ★、无法通过普通机械加工方法制造出来的“膜”★✿ღ★。将包含所需分子或原子单元的薄膜放到晶圆上的过程就是“沉积”凯时尊龙app★✿ღ★。

　　要形成多层的半导体结构★✿ღ★，需要先制造器件叠层★✿ღ★，即在晶圆表面交替堆叠多层薄金属（导电）膜和介电（绝缘）膜校长也风流校长也风流★✿ღ★，之后再通过重复刻蚀工艺去除多余部分并形成三维结构凯时尊龙app★✿ღ★。可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积 (CVD)z6尊龙凯时官方网站★✿ღ★！★✿ღ★、原子层沉积 (ALD) 和物理气相沉积 (PVD)尊龙凯时·中国官方网站★✿ღ★！★✿ღ★，采用这些技术的方法又可以分为干法和湿法沉积两种★✿ღ★。

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